Samsung အီလက်ထရွန်းနစ်နည်းပညာအရာရှိချုပ် Song Jai-hyuk က ကုမ္ပဏီ၏ မြန်နှုန်းမြင့် memory 4 (HBM4) ချစ်ပ်သည် ထုတ်လုပ်မှု အထွက်နှုန်း ကောင်းမွန်ကြောင်း ပြသနေပြီး သုံးစွဲသူများသည် ၎င်း၏ စွမ်းဆောင်ရည်အပေါ် အခိုင်အမာ ကျေနပ်ကြောင်း ထုတ်ဖော်ပြောကြားခဲ့ကြောင်း သိရသည်။
"ဖောက်သည်လိုအပ်ချက်များကို ကျွန်ုပ်တို့၏ကမ္ဘာ့အဆင့်မီနည်းပညာဆိုင်ရာတုံ့ပြန်မှုကိုပြသခြင်းမှာ အချိန်အတော်ကြာအောင် ပျက်ပြယ်သွားခဲ့ရပေမည်၊ သို့သော် ယင်းကို ထိုစံနှုန်းသို့ပြန်လည်ရောက်ရှိခြင်းအဖြစ် မြင်သင့်သည်" ဟု ဆိုးလ်တွင်ကျင်းပသည့် SEMICON Korea 2026 အတွက် ၎င်း၏အဓိကမိန့်ခွန်းမတိုင်မီ သတင်းထောက်များအား ပြောကြားခဲ့သည်။
Samsung သည် HBM4 အမြောက်အမြား ထုတ်လုပ်ခြင်းနှင့် အဓိက သုံးစွဲသူများထံ ယခုလနှောင်းပိုင်းတွင် စတင်ပို့ဆောင်ရန် စီစဉ်နေကြောင်း သတင်းရရှိပါသည်။ ၎င်း၏ HBM4 ချစ်ပ်များသည် ၎င်း၏ 1c လုပ်ငန်းစဉ်၊ ဆဋ္ဌမမျိုးဆက် 10-nanometer-class DRAM နည်းပညာကို DRAM ဆဲလ်အသေအတွက် အသုံးပြုနေပြီး base die အတွက် 4-nanometer foundry process ကို အသုံးပြုနေပါသည်။
